美国限制全环绕栅极GAA：
美国限制全环绕栅极GAA：全环绕栅极GAA尖端芯片技术，先进芯片架构。
GAA工艺核心在于多次光刻、刻蚀、沉积:核心步骤通过原子层沉积(ALD)技术完成！耗材核心增量！
华为22日最新公布GAA专利：
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#柏城股份601133（清洁室）已中标的华为项目包含海思武汉光工厂，华为松山湖研发基地，年报中明确表示GAA（全环绕栅极）带来高价值量洁净室的放量增长
#华懋科技603306（光刻胶）徐州博康作为国内少有能打通光刻胶上游材料的全产业链公司，华为哈勃入股！13款ArF光刻胶单体，2款KrF光刻胶单体！
（掩模版）刻蚀、沉积。董事长回复唯一28nm量产的光掩膜版公司。
（沉积清洗）可以满足7纳米制程以下的半导体设备需，原子层薄膜沉积（ALD） 且SAQP 多重曝光涉及大量光刻胶设备的清洗。
好好学习天天向上 谢谢分享
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