我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件
财联社2月2日电，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。据中国科学院微电子研究所刘新宇研究员介绍，功率器件是实现电能变换和控制的核心，被誉为“电力电子系统的心脏”，是最为基础、应用最为广泛的器件之一。随着硅基功率器件的性能逼近极限，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，以其独特优势可满足空间电源系统高能效、小型化、轻量化需求，对新一代航天技术发展具有重要战略意义。业内专家认为，我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件，标志着在以“克”为计量的空间载荷需求下，碳化硅（SiC）功率器件有望牵引空间电源系统的升级换代，为未来我国在探月工程、载人登月、深空探测等领域提供新一代功率器件。
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