科技创新实现新突破，北方华创发布多款12英寸立式炉原子层沉积(ALD)设备

橘子洲头吹玉笛

　　北方华创(002371)紧跟产业发展步伐，依托深厚的立式炉装备技术积累，研发推出3款12英寸立式炉原子层沉积设备，进入客户端验证，且实现大规模量产。

　　等离子体增强氮化硅(PEALD Si3N4)原子层沉积立式炉(产品型号：DEMAX SN302P)，突破了射频等离子体产生和系统控制、原位清洗、腔室流场设计、炉体温控以及电气软件交互快速响应控制等一系列关键技术。设备广泛应用于极大规模先进集成电路存储和逻辑工艺器件阻挡层(ALD Si3N4/HRP)、侧壁绝缘层和掺杂薄膜沉积(SiCN、SiBN)工艺，已斩获多家逻辑和存储领域头部客户订单，装机量和重复订单量快速攀升。作为国产首批上市量产的等离子体增强氮化硅原子层沉积立式炉，为极大规模先进集成电路制造提供了可靠的装备支撑。

　　低介电常数(Low-K)原子层沉积立式炉(产品型号：DEMAX CON302X)，突破了液态源供应控制、排气快速切换控制、原位清洗以及多元素工艺调控等新技术，降低了硅源薄膜的介电常数。设备主要应用于12英寸极大规模集成电路的栅极侧壁薄膜沉积工艺，以获得低介电常数、提升薄膜耐腐蚀性，工艺指标优于同类产品，满足大规模集成电路对高性能绝缘层的需求，目前设备已进入客户端工艺验证阶段。

　　间隙填充氧化硅原子层沉积立式炉(产品型号：DEMAX SN302T)，突破了器件高深宽比成膜填充和高品质自由基氧化膜沉积技术，优化了腔室流场和进气管设计，显著提高了晶圆间成膜均匀性，并获得了良好的薄膜绝缘性能和器件高深宽比填充效果。设备主要应用于存储领域氧化硅绝缘层和介质填充层，尤其在3D-NAND(闪存)先进技术节点——绝缘介质间隙氧化硅填充工艺中广泛应用。在存储阵列中，该氧化硅薄膜对与其相关的前后道膜层功能发挥着关键作用，是立式炉在该领域工艺制程中的骨干设备，市场前景广阔。目前，设备已进入客户端。

　　北方华创经过多年的技术创新及产业化验证，已实现立式氧化/退火炉，立式LPCVD和立式ALD系列设备全面布局，并预计在今年下半年推出立式炉原子层沉积设备的其他DEMAX系列产品。

　　未来，北方华创将秉承“以客户为中心，持续创新”的核心价值观，致力于为客户提供全面的立式炉产品解决方案，专研核心技术、强化战略布局，为人工智能、5G通信、云计算、大数据、新能源汽车等新兴产业提供澎湃动力，推动产业进步，创造无限可能。

ratsg

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