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海外巨头库存告急!存储芯片反复活跃 DRAM景气周期或延续?

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发表于 2026-9-8 12:34 | 显示全部楼层 |阅读模式

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  9月8日早盘,存储芯片板块延续反弹,中京电子、盈新发展、三孚股份、和顺石油强势封板,领先股份、诚邦股份、强一股份、德明利、兴发集团等多股跟涨。

  消息面上,三星电子与SK海力士存储芯片库存已降至不足10天,国产龙头长鑫科技也判断,下半年全球DRAM产品供给紧缺格局将延续。

  三星SK海力士库存已不足10天

  9月7日,韩国券商KB证券发布研报称,随着人工智能基础设施投资以前所未有的速度扩张,存储芯片市场正面临严重供应短缺,三星电子与SK海力士当前存储芯片库存已不足10天供应量,明年实际可售供应或将明显不足。

  KB证券认为,明年AI服务器将同步吸收HBM、服务器DDR5及企业级eSSD需求,多品类需求共振进一步加剧供应压力。在上述背景下,存储芯片价格存在显著上行空间。

  同日,国产DRAM龙头企业长鑫科技也给出了“供给偏紧”的判断。在2026年半年度业绩说明会上,公司高级副总裁、财务负责人黄丹阳表示,展望下半年,全球DRAM产品供给紧缺格局将延续。半年报显示,长鑫科技上半年实现营收1503.1亿元,同比增长873.64%,归母净利润776.05亿元,同比大幅扭亏为盈。

  从产业链下游来看,存储芯片国产化正迎来里程碑式突破。长鑫存储自主研发的LPDDR6芯片已实现量产商用,搭载于最新发布的小米18 Fold折叠旗舰手机,这是全球LPDDR6产品首次落地商用。

  努比亚也宣布一则大消息,全球首款AI智能体手机NaviX Ultra将于9月16日正式发布。分析人士认为,AI终端的放量或进一步推升存储芯片消耗量。

  结构性紧平衡支撑高景气延续

  存储芯片是用于存储数据和程序的半导体器件,主要分为DRAM、NAND Flash和HBM三大类,广泛应用于智能手机、PC、AI服务器和汽车电子等领域。

  在高盛看来,2027年DRAM、NAND和HBM的供需紧张程度将比2026年更甚,供需紧张格局有望延续至2028年。

  国金证券此前研报预计,2026年全球存储芯片仍将供不应求,DRAM位元供应量增幅为15%至20%,需求增速预计达到20%至25%,服务器领域DRAM和NAND闪存消耗量将同比激增40%至50%,AI服务器领域增速更高。

  价格方面,摩根士丹利预测,2026年第三季度DDR4等成熟制程DRAM价格将上涨50%;Trend Force集邦咨询预计,一般型DRAM合约价将季增13%至18%。

  天风证券指出,存储芯片行业的景气改善源于需求结构变化、供给理性扩张和库存周期修复,AI算力建设推动高端存储需求增长。供给端克制扩产,形成结构性紧平衡,存储价格和产业链盈利能力有望保持韧性,建议关注存储模组和相关设备材料。


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